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| 品牌 | 其他品牌 | 價格區間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 儀器種類 | 箱式爐 | 產地類別 | 國產 |
| 應用領域 | 醫療衛生,生物產業,能源,制藥/生物制藥,綜合 |
高溫抗氧化性：高溫氧化氣氛下，元件的表面生成層致密的石英Sio2保護層以防止MOSi2繼續氧化。當元件溫度大于1700℃，熔點為1710℃的石英保護層熔掉，由于表面張力的作用，石英熔聚成滴，而失去保護作用，元件在氧化氣氛下，再繼續使用時，石英保護層重新生成.
必須指出的是元件不宜在400-700℃范圍內長時間使用，否則元件會因低溫的強烈氧化作用而粉化。
電阻性
二硅化鉬電熱元件的電阻率隨著溫度升高而迅速增加，在正常操作情況下，元件電阻般不隨使用時間的長短而變化。因此，新舊元件可以混合使用。
表面負荷
根據爐子的結構，氣氛和溫度正確地選擇元件表面負荷是達到元件壽命的關鍵。右圖示出了元件輻射在陰影部分為常用的表面負荷----溫度范圍。
表面負荷
安裝元件時夾頭上的螺絲不要次擰的太緊，待元件升到高溫時再次擰緊，因為這時元件有定塑性不易折斷。夾頭部分溫度般不要高于200℃，因此，夾頭導線與元件接觸電壓應降低0.1v。為避免輻射熱傳到夾頭，夾頭下面和穿磚上面的距離不應小于50mm。為了避免損壞，般直徑6/12mm元件不能長期使用170A，直徑9/18mm元件不能長期使用300A。
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